半導體polygate

2019年6月15日—我们知道栅极的Poly是需要通过掺杂(doping)来降低阻值的，但是这样的doping在栅极电压下会发生doping浓度的变化，比如N-poly的NMOS加正电压，则N-type载流 ...,2021年7月24日—Gate蝕刻先挖SIO，再挖polysilicon，再挖沒有被poly覆蓋的Gateoxide這時候poly上面的SIO也會順便一起被挖掉閘極(Gate)做好了4.LDD離子布植 ...,2023年7月5日—(補充)nFET用N+poly-Sigate；pFET用P+poly-Sigate是為了臨界電壓對稱Vtn=|Vtp...

參考資訊如下
栅极材料的革命(Gate Electrode) （转）

2019年6月15日 — 我们知道栅极的Poly是需要通过掺杂(doping)来降低阻值的，但是这样的doping在栅极电压下会发生doping浓度的变化，比如N-poly的NMOS加正电压，则N-type载流 ...

Re: [閒聊] 半導體產品有多難做?

2021年7月24日 — Gate蝕刻 先挖SIO，再挖poly silicon，再挖沒有被poly覆蓋的Gate oxide 這時候poly上面的SIO也會順便一起被挖掉閘極(Gate)做好了 4. LDD離子布植 ...

半導體製程學習筆記

2023年7月5日 — (補充)nFET用N+ poly-Si gate；pFET用P+ poly-Si gate是為了 臨界電壓對稱Vtn=|Vtp| 。 (4) 因為有pn junction，因此要做多晶矽微影與蝕刻，再把光阻 ...

Why PolySi to HKMG

2023年6月11日 — Polysilicon本身有電容，造成閘極氧化層電容Cox變小(電容串聯越串越小)。 閘極氧化層SiO2 dry oxide換成High-K，Poly gate換成metal gate ...

工學院專班半導體材料與製程設備組

由 楊學修 著作 · 2006 — （poly gate）。此四個步驟中間並無間斷，於是當最後製程結果不合乎預期. 時必須要有量化的方式去釐清哪一個製程反應室出問題。對於基底氧化層、. 後氮化回火製程與 ...

高介電係數閘極介層技術

... Gate Dielectric)技術是半導體元件進入深. 次微米乃至於奈米世代的一項重要關鍵技術 ... 所引發在Poly Gate的空乏效應(Poly. Depletion Effect)越大，這猶如介電層電容. 串 ...

半導體gate是指什麼

2021年3月5日 — polysilicon gate多晶硅柵極簡稱poly gate，就是MOS管用多晶硅做柵極，用氧化硅做絕緣層，gate poly應該是指做柵極的多晶硅材料.

金屬氧化物半導體場效電晶體

為了改善前述單一金氧半場效電晶體開關造成訊號失真的缺點，於是使用一個PMOS加上一個NMOS的CMOS開關（Transmission gate）成為目前最普遍的做法。CMOS開關將PMOS與NMOS的 ...

请问半导体技术中gate poly 译成什么？多谢

采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需 ...